شرکت سامسونگ، اولین محموله تولیدی تراشه ۳ نانومتری جهان را به عنوان پیشرفته ترین نیمه هادی جهان به بازار عرضه کرد.
به گزارش فارس به نقل از سی جی تی ان، سامسونگ تولید انبوه تراشه ۳ نانومتری خود را از ۳۰ ژوئن (۹ تیر) آغاز کرده بود و حالا این شرکت اعلام کرده که از روز گذشته (۲۵ جولای) نخستین محموله تولیدی تراشه ۳ نانومتری جهان را بعنوان پیشرفته ترین نیمه هادی جهان به بازار عرضه کرده است.
این شرکت کره جنوبی گفته است، فرآیند ۳ نانومتری نسل اول در مقایسه با تراشه های ۵ نانومتری فعلی که از فناوری ترانزیستور (FinFET) استفاده می کنند، مصرف انرژی را تا ۴۵ درصد کاهش داده و عملکرد را تا ۲۳ درصد با استفاده از فرآیند گیت همه جانبه (GAA) بهبود بخشیده است.
به گفته سامسونگ، مهندسان آن در اوایل دهه ۲۰۰۰ شروع به تحقیق بر روی ترانزیستورهای GAA کردند و از سال ۲۰۱۷ به آزمایش طراحی آن پرداختند. ماه گذشته، این شرکت نخستین سازنده تراشه بود که تولید انبوه تراشه های ۳ نانومتری را آغاز کرد.
سامسونگ در نظر دارد تولید نسل دوم تراشه های ۳ نانومتری خود را تا سال ۲۰۲۳ و تراشه های ۲ نانومتری خود را تا سال ۲۰۲۵ آغاز کند.
- 17
- 1
